high k metal gate原理
這類金屬閘極和高介電常數的絕緣氧化物都是多元素交錯沉積的層狀結構,其中每層材料的厚度極薄,通常都在1-2nm以下,因此在層狀厚度、介面平整度和成份 ...,2022年1月21日—...high-k/metalgate),介電層的k值愈大,氧化層電容(Cox)愈大,電晶體電流愈大,且可在...
32奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手
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2007年12月24日—high-k/metalgate技術預計可在2009-2010年達到32nm世代的量產化,如圖一所示,藉此技術的增進得以降低元件的驅動電流並抑制漏電流,使32nm以下大型積體 ...
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